Las peleas de patentes ocurren muy a menudo, mucho más de lo que nos damos cuenta. Apple y Samsung, por ejemplo, se enfrentan en un mismo pleito desde hace unos 7 años. El surcoreano ahora también enfrenta otra disputa de patentes. Se ordenó a la empresa que pagara 400 millones de dólares al Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea por una patente relacionada con la tecnología FinFET.
La patente en cuestión fue desarrollada por la empresa KAIST IP US, subsidiaria del Instituto, y por la universidad, sin embargo está registrada a nombre de KAIST IP. El proceso en cuestión comenzó a través de la empresa ya que la otra parte involucrada no creía en el gran potencial que realmente tenía la tecnología.
Actualmente, es muy utilizado en varios procesadores de Samsung y también de Qualcomm, por ejemplo. FinFET es la solución que se encuentra hoy en día para el uso de dos chips en teléfonos inteligentes y para otras tecnologías que se construirán a través del proceso de 14nm y más pequeñas, como Snapdragon 636, Snapdragon 845 y Exynos 9810.
También se involucraron empresas como Qualcomm y GlobalFoundries, sin embargo, no tenían orden de pago de multa. Esto puede haber ocurrido porque Samsung compartió con ellos el uso de tecnología, como en el Snapdragon 835, que terminó siendo fabricado por Samsung en litografía de 10 nm en el estándar finFET.
Samsung, tras la decisión, reveló que encontraría medios y recursos para apelar la decisión. Debido a la naturaleza intencional de la ofensa, el jurado aún puede aumentar la multa tres veces, por un total de hasta $1.200 mil millones en sanciones.
"Consideraremos todas las opciones para obtener un resultado que sea razonable, incluida una apelación", dijo la compañía en un comunicado.
La demanda fue presentada ante la Corte de Marshall, también en Texas, conocida por otorgar decisiones favorables a los titulares de patentes en su jurisprudencia.
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